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水平靶磁控溅射系统可以制备厚度为100nm以下的薄膜,且其制备的薄膜的质量要明显优于垂直靶磁控溅射系统制备的薄膜。在本实验中,我们采用水平靶进行溅射,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上原位退火制备了钛酸钡(BaTiO3)薄膜,并且用XRD,PFM,Radiant铁电工作站等测试手段表征了钛酸钡薄膜的结构与铁电性。