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利用变频导纳谱研究了r辐照前后Hgl-xCdxTe（x=0.6)n-on-p结中的深能级缺陷。辐照前其缺陷能级位置在价带上0.15eV俘获截面O＝2.9×10-18cm2，缺陷密度Nt=6.5×1015cm-3初步认为是Hg空位或与其相关的复合缺陷，经过lmrad(Si)r辐照后其能级变得更深，在价带上0.19eV同时其俘获截面增加了近一个数量级，而缺陷密度基本上没有变化。r辐照引入的这种能级变化最终使器件的性能（探测率）下降了一倍多。