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SOI(Silicom on Insulator)技术是21世纪的硅集成电路技术。离子注入SIMOX(Separation by Implanted Oxyen)材料是最重要的SOI材料。报道了氧注入单晶硅,经过高温长时间退火后,形成质量很好的SIMOX薄膜材料。用多种方法测量了SOI薄膜材料的表面硅层和绝缘埋层的厚度,详细研究了SIMOX材料的红外吸收光谱牧场 生,求出了特征峰对庆的吸收系数,提出了利用红外吸收光谱测量SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法。