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介绍了SOI MOS单管三种总剂量辐照偏置条件，及其对器件阈值电压漂移的影响。指出埋氧层加固是抗总剂量的重要技术手段。采用抗辐照电路设计，对SOISRAM存储单元进行加固，大大提高了SOISRAM抗单粒子翻转的能力。
抗辐照加固SOI SRAM研究
【摘 要】
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介绍了SOI MOS单管三种总剂量辐照偏置条件，及其对器件阈值电压漂移的影响。指出埋氧层加固是抗总剂量的重要技术手段。采用抗辐照电路设计，对SOISRAM存储单元进行加固，大大提高
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京 100029
【出 处】
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中国电子学会第十三届青年学术年会
【发表日期】
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2007年期
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