【摘 要】
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Yttria-stabilized zirconia (YSZ) films were deposited on Y2O3/Ni-5at.%W substrates serving as the barrier layers for coated conductors by reel-to-reel direc
【机 构】
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State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices,University of Electronic Science
【出 处】
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2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
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Yttria-stabilized zirconia (YSZ) films were deposited on Y2O3/Ni-5at.%W substrates serving as the barrier layers for coated conductors by reel-to-reel direct-current (D.C.) magnetron reactive sputtering.The deposition parameters, such as the substrate temperature and tape moving speed, were systematically investigated.X-ray diffraction analysis confirmed that optimized YSZ/Y2O3 buffer layers showed excellent in-plane and out-of-plane textures.Atomic force microscope revealed a smooth, dense and crack-free surface.The subsequent CeO2 cap layer and 1 μrn-thick YBa2Cu3O7-δ film sequentially prepared, showing the critical current density Jc under 77 K, self-field of 1.4MA/cm2.
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