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研究了在MgBz超导体中，Al、C以及这两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度、不可逆场、以及临界电流的影响。研究发现，当掺杂电子量相同时，Al掺杂比C掺杂对超导电性有更强的抑制作用。当Al、C共掺时，对于相同的掺C量，Al的掺杂作用减缓C掺杂对Tc的抑制作用。同时C掺杂可以有效的提高MgB2超导体在高场下的临界电流密度，Al，C共掺和单独掺c的两组样品中掺C都有相似的行为特性。