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在100℃和300℃用PECVD法制备Si基SiOx薄膜。通过改变SiH4和H2O气体的配比及流量,调整SiOx的折射率和沉积速率。用棱镜耦合器测量SiOx的折射率和膜厚。实验结果可供制作Si基SiOx薄膜波导参考。
PECVD法制备Si基SiO_x薄膜
【摘 要】
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在100℃和300℃用PECVD法制备Si基SiOx薄膜。通过改变SiH4和H2O气体的配比及流量,调整SiOx的折射率和沉积速率。用棱镜耦合器测量SiOx的折射率和膜厚。实验结果可供制作Si基S
【机 构】
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航天时代电子公司研究中心;
【发表日期】
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2004年期
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