研究和开发新一代超高密度磁记录材料已经得到了人们的普遍关注.近年来,将磁性金属或合金注入非磁性介质中而得到相互隔离的量子点阵薄膜,这方面的研究已成为研究的热点<[1,2]>.这种方法的基本思路是:先生产出具有高孔密度和长径比可控的模板,然后在其微孔内注入磁性金属或复合磁性材料,从而得到非常有序的纳米线阵列.具有这种阵列结构的阵列膜也称之为量子磁盘结构(QMD).与常规磁盘比较，QMD所具有的优点为:1)每一位的磁矩自发量化.2)量子化的写入过程减少了对写头的要求和写头的精确定位.3)小,平滑的隔离传输区域使得记录密度很高并且传输噪音近似为0;4)能精确定位读写头,克服了超顺磁极限.S.Y.Chou等人<[3]>通过把磁性物质注入50nm或更小的有序非磁性介质的微孔内而得到具有量子磁盘(QMD)结构的纳米线阵列,相应的记录密度可以达到400Gbit/in<2>或更高.我们课题组90年代初就开展了以氧化铝模板为载体制备半导体,磁性,聚合物等纳米线<[4,5,6]>.本文利用交流电沉积的方法成功地制备了Co纳米线有序阵列,经过机械化学抛光后用磁力显微镜(MFM)首次观察到了分立有序的单畴分布图象,样品磁化后,磁矩能反转,若让每一个单畴记录一个信息位,理论记录密度高达100Gbit/in<2>.由于我们制备手段简单,原料成本低,对于开发新一代超高密度存储器件具有良好的应用前景.