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有机电致发光器件(OLED：Organic light-emitting device)具有驱动电压低、效率高、成本低、能实现大面积全色显示等优点,在平板显示领域引起广泛的关注,近年来成为国内外广大学者的研究热点[1,2],经过多年的研究,OLED已经取得了很大的进步,但由于在OLED中,电子的迁移率要远小于空穴的迁移率,而且空穴的注入势垒要低于电子的注入势垒,电子注入要比空穴注入困难,因此,提高电子注入效率,让电子和空穴尽可能在发光层激发、发光是提高OLED效率的关键因素之一,所以提高阴极的电子注入效率对OLED效率提高至关重要.Cs2CO3作为一种OLED的阴极界面修饰材料引起了很大的关注,并取得了不错的器件效率.人们认为Cs2CO3能作为良好的界面修饰材料是由于在蒸镀过程中Cs2CO3分解出来的Cs原子对界面进行了n-型掺杂,还有人认为在蒸镀Cs2CO3过程中,分解出来Cs,O和Cs2O2,也对阴极界面进行了n-型掺杂[3].石墨烯(Graphene)作为一种半导体材料,因其具有的独特光电性能,其具有很高的载流子迁移率,据报道达15000 cm2/V.S,还具有非常好的传导性透明度,良好的机械延展性引起了众多科研工作者的关注[4.5].本文利用Cs2CO3与石墨烯这两种性能优异的光电材料,将石墨烯掺杂到Cs2CO3中,作为电子注入层,研究了Cs2CO3∶Graphene的结构对OLED性能的影响.采用了石墨烯掺杂在Cs2CO3中(Cs2CO3∶Graphene)作为新型高效电子注入层,其器件结构：ITO/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine(NPB)(50 nm)/tris-(8-hydroxyquinoline)-aluminum Alq3(80 nm)/Cs2CO3∶Graphene(20 wt.％1 nm)/Al(120 nm).将其与标准器件ITO/NPB(50 nm)/Alq3(80 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(120 nm)作性能比较,研究石墨烯掺杂在Cs2CO3中作为电子注入层对OLED性能的影响,结果表明,基于Cs2CO3∶Graphene结构作为电子注入层的器件效率要高于LiF作为电子注入层的OLED,其最大电流效率达到2.02 cd/A,是标准器件的2.59倍；亮度也高于LiF作为电子注入层的OLED,在10V时达到最大值7690 cd/m2,是标准器件最大亮度的2.07倍.性能得到提高的主要原因是由于电子注入的性能得到了提高.