【摘 要】
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在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻
【机 构】
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Nanjing Electronic Devices Institute, Sctence and Technology on Monolithic lntegrated Circuits and M
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,用Ni金属作为掩膜刻蚀SiC或介质易形成接近垂直的台阶,而采用光刻胶掩膜刻蚀SiC或介质则易形成缓坡台阶。本论文通过对Ni金属掩膜下采用ICP刻蚀SiC或介质的研究,得到了干法刻蚀SiC或介质的条件,形成的台阶接近垂直,刻蚀后的SiC表面光滑,SiC或介质与Ni的刻蚀比大于10：1。用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。
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