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本文从分析BOD器件的原理入手确立了BOD器件的导通条件。与四层三端器件晶闸管一样,同样适合两只晶体管建立的模型模拟以及α1+α2≥1的导通原理。例举了BOD器件在HVDC和SVC阀中过电压应急保护触发的应用以及转子能量灭磁中的应用。
BOD器件在灭磁系统的应用
【摘 要】
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本文从分析BOD器件的原理入手确立了BOD器件的导通条件。与四层三端器件晶闸管一样,同样适合两只晶体管建立的模型模拟以及α1+α2≥1的导通原理。例举了BOD器件在HVDC和SVC
【发表日期】
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2009年期
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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期刊
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