室温SI-GaAs基半导体光激发磁阻效应研究

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xinlingsvs
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  基于非磁性材料(如GaAs1-3等)的磁阻(MR)效应器件具有重大的研究意义和价值.研究表明,对于半导体材料,光辐照会极大增强磁阻效应.Akinaga等研究发现基于MnSb掺杂的GaAs基半导体器件可观察到较强的光激发磁阻效应(MR=20%@B=0.1T).本文研究自绝缘砷化镓(SI-GaAs)基半导体器件(Ag/SI-GaAs/Ag)在室温不同强度光辐照(采用波长为395~405 nm的LED灯珠)下的光激发磁阻效应,得到主要结果如下(见图1):1)器件在黑暗环境下电阻值高达109数量级,光照后阻值减小两个数量级;2)V-I曲线表明金属电极与半导体之间为欧姆接触特性;3)在光辐照条件下器件呈现出正磁阻效应,随着外加磁场的增大磁阻增大;当光辐照强度减弱时,在较强磁场下的磁阻效应相对减弱.
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