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研究了采用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长的不同气体流量比R(R-O2/SiH4)的SiOx薄膜及其真空退火处理后的发光性能.结果表明,当R在0.6＜R＜1.3范围内均出现了350～600nm宽的发光带,当R-0.8时发光强度最大.经过退火处理后,在相同的气体流量比情况下,发光强度随着退火温度的增加先增大后减小,即出现了发光的猝灭现象,并且猝灭温度随着R值的增加不断降低,即随着氧含量不断增加猝灭温度不断降低.在430nm～600nm范围内发光强度随着R值的不断增大而显著降低,这说明氧含量直接影响430～600nm发光带的发光.