【摘 要】
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半导体特别是TiO2光催化氧化环境污染物己进行了数十多年的研究并取得了很大的进展。一般认为其价带上光生空穴可直接或通过羟基自由基间接地氧化目标污染物；同时,导带上产生
【机 构】
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浙江大学 玉泉校区 化学系 杭州 310027
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半导体特别是TiO2光催化氧化环境污染物己进行了数十多年的研究并取得了很大的进展。一般认为其价带上光生空穴可直接或通过羟基自由基间接地氧化目标污染物；同时,导带上产生的光生电子可以被氧捕获,生成超氧自由基, 其本身及其光诱导衍生物有可能同时参与污染物的氧化[1-4]。但是,据我们所知,定量化区分超氧自由基和光生空穴对污染物氧化目前未见报道[4]；对空穴转移机理研究还不够清楚[,2]。传统的羟基自由基检测方法,如自由基捕获剂和顺磁共振等方法由于存在自身不够稳定和难定量等缺点,很难获得污染物降解机理的真实信息。探索新的机理研究方法对促进光催化技术在环境中应用具有重要的指导意义。
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