【摘 要】
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本文中报道了采用电阻加热提拉法(CZ)生长出光学均匀性和质量一致性好的氟化钙单晶。将高纯(5N)的CaF2颗粒料置于石墨坩埚内,抽真空度至10-4Pa,通入一定量的高纯CF4气体,加热使其熔化,恒温一段时间,然后以较快速率降温,将结晶后的晶块取出,去除表面杂质,然后将块状晶料用于晶体生长。将处理后的晶体料装入石墨坩埚并抽真空,真空度应达到10-4Pa以上,通入一定量的高纯Ar气体,按程序进行升温使
【机 构】
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北京奇峰蓝达光学科技有限公司 四川欧瑞特光电技术科技有限公司
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
论文部分内容阅读
本文中报道了采用电阻加热提拉法(CZ)生长出光学均匀性和质量一致性好的氟化钙单晶。将高纯(5N)的CaF2颗粒料置于石墨坩埚内,抽真空度至10-4Pa,通入一定量的高纯CF4气体,加热使其熔化,恒温一段时间,然后以较快速率降温,将结晶后的晶块取出,去除表面杂质,然后将块状晶料用于晶体生长。将处理后的晶体料装入石墨坩埚并抽真空,真空度应达到10-4Pa以上,通入一定量的高纯Ar气体,按程序进行升温使原料充分熔化,并恒温一定时间。晶体生长工艺对晶体质量有重大影响,通过工艺(拉速、转速)优化,利用计算机自动控制晶体生长有效的解决了大直径晶体的炸裂及生长界面不稳定性引起的包裹体、生长层、气泡等缺陷。采用低拉速生长,生长结束后缓慢降温在真空炉中进行精密退火,获得了优质的CaF2晶体。
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本文报道了采用电阻加热提拉法(CZ)生长出光学均匀性和质量一致性好的MgF2单晶.将高纯的固体料置于石墨坩埚内,抽真空度至10-4Pa,通入高纯CF4气体,加热使其熔化,然后以较快速率进行结晶,将结晶后的晶块取出,去除表面杂质,然后将晶块用于晶体生长.氟化镁晶体在生长过程中加入一定量的除氧剂,以防止氧或羟基进入晶体中.将处理后的晶体料装入石墨坩埚并抽真空,真空度应达到10-4Pa以上,按程序进行升