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用离子注入、溅射二氧化硅、光刻等平面工艺制作全密封γ探测器。这种探测器既具有金硅面垒型探测器的优点,又具有扩散型探测器的稳定性和可靠性。溅射氧化膜对降低反向漏电流、稳定探测器的特性起较好作用。该文描述了该探测器的制备工艺,电流—电压特性,噪声甄别阈,[**]Coγ计数灵敏度,计数率线性,温度特性,抗机械冲击、抗高温高湿和抗机械振动性能,对偏压的依赖性,以及稳定性等。(王太和摘)