【摘 要】
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实验证实,dioctylbenzothienobenzothiophene(C8-BTBT)在石墨烯基底上外延生长形成二维分子晶体,可以作为有机场效应管(OFET)应用于电子器件中,迁移率高达～5cm2/V·s[1].
【机 构】
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东南大学物理系,南京,211189
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实验证实,dioctylbenzothienobenzothiophene(C8-BTBT)在石墨烯基底上外延生长形成二维分子晶体,可以作为有机场效应管(OFET)应用于电子器件中,迁移率高达～5cm2/V·s[1].实验观测发现,第一层 C8-BTBT 结构与 C8-BTBT 单晶结构差异很大,STM 及 AFM 测量虽然可以给出一些结构信息,但仍无法给出分子排列的确切结构.我们通过第一性原理计算发现,C8-BTBT 平躺在石墨烯上可以使体系达到最稳定状态,且相邻的 C8-BTBT 的排列倾向于肩并肩靠拢.我们还通过比较不同晶格常数的结构对应的结合能,从而确定了第一层C8-BTBT 单晶的晶格常数为 2.47nm*0.64nm,高度为 0.52nm,这与晶格常数的实验值2.52nm*0.66nm 以及高度～0.60nm 符合的非常好,如图2 所示[1].
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