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提出了关于Ti<,3>SiC<,2>晶粒生长的模型。在Ti<,3>SiC<,2>晶粒的生长中，Ti<,3>SiC<,2>八面体可以作为一个独立的生长单元，Ti<,6>C八面体的联接方式（如共同面、共棱、共顶）将会对Ti<,3>SiC<,2>的生长形貌和生长行为产生很大的影响。
Ti<,3>SiC<,2>晶粒生长模型
【摘 要】
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提出了关于TiSiC晶粒生长的模型。在TiSiC晶粒的生长中，TiSiC八面体可以作为一个独立的生长单元，TiC八面体的联接方式（如共同面、共棱、共顶）将会对TiSiC的生长形貌和生长行为产
【机 构】
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清华大学材料科学与工程系
【出 处】
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第十一届全国高技术陶瓷学术年会
【发表日期】
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2000年期
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