铸造多晶硅中的镍沉淀

来源 :2003年中国太阳能学会学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:opp2781062
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本文用红外扫描电镜(SIRM)研究了快冷和慢冷条件下铸造多晶硅中的镍沉淀规律.实验发现:相对于直拉单晶硅,镍在铸造多晶硅中存在着更低的沉淀温度,大约在700℃就有明显的镍沉淀生成;低温快冷下这些镍一般在晶界上偏聚沉淀,而低温慢冷则比较难观察到镍沉淀;在1100℃下的镍沉淀生成规律显著不同于低温下的生成规律,慢冷容易导致镍在晶界上沉淀,而快冷下则镍一般以均匀形核机制为主.基于实验观察结果,本文在最后将讨论镍沉淀形成的热力学和动力学规律.
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