【摘 要】
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开发低成本、高效率、高稳定性太阳电池是目前光伏行业的主要研究方向。非晶硅/单晶硅异质结电池由于具有工艺温度低、转换效率高和温度系数低等优点而备受关注。作为非晶硅/单晶硅异质结电池窗口层的透明导电膜——ZnO,其质量将直接影响电池性能。本文采用磁控溅射技术,在不同的氩气压强下沉积ZnO薄膜,并分析了薄膜的沉积速率和光电特性,结果表明:在4 mTorr时制备的薄膜,具有很好的导电性和光透过性。该研究对
【机 构】
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开发低成本、高效率、高稳定性太阳电池是目前光伏行业的主要研究方向。非晶硅/单晶硅异质结电池由于具有工艺温度低、转换效率高和温度系数低等优点而备受关注。作为非晶硅/单晶硅异质结电池窗口层的透明导电膜——ZnO,其质量将直接影响电池性能。本文采用磁控溅射技术,在不同的氩气压强下沉积ZnO薄膜,并分析了薄膜的沉积速率和光电特性,结果表明:在4 mTorr时制备的薄膜,具有很好的导电性和光透过性。该研究对提高非晶硅/单晶硅异质结电池性能具有一定的参考意义。
其他文献
本论文研究降低工作温度来提高太阳电池实际转换效率的方法。在2005年广东省科技攻关项目"蓄冷降温式太阳电池组件的研究开发"支持下,通过三年理论与实验研究,开发出蓄冷降温式太阳电池组件,利用日夜大气温差的自然能源,可将太阳电池工作温度控制在大气温度左右甚至低于大气温度。经广州室外实验对比研究,蓄冷降温式太阳电池组件与常规太阳电池组件温度最大温差可达25℃,输出功率增长10％以上。
实验通过喷雾热解法在石英衬底和制绒硅表面制备了高质量的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)表明石英衬底上制备的薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的单轴择优取向。制绒硅表面的倒金字塔结构会破坏薄膜单轴择优取向；衬底温度为500℃时,薄膜在可见光区的平均透过率高达90％。与未制膜前相比,制膜后单晶硅电池开路电压VOC提高2％,短路电流ISC提高了4.3％,转化效率从12.6％提高到14.3％。
"光伏发电与建筑物集成化"的概念也在1991年被正式提出,并很快成为热门课题,这不仅开辟了一个光伏应用的新领域,是光伏发电的趋势,意味着光伏发电开始进入在城市大规模应用的阶段。光伏与建筑物相结合有以下两种形式:一种是建筑与光伏相结合(BAPV),另外一种是建筑与光伏器件相结合(BIPV)。论文通过目前国内多个光伏建筑一体化项目,对建筑与光伏相结合与建筑与光伏器件相结合的具体设计、施工等方面进行了详
本文以线性聚光光伏接收器为研究对象,以有效聚光率C=60、光强分布为正太分布为实例,研究了接收器各材料层结构尺寸、散热器性能及粗糙结合面界面接触热阻及结合方式等因素在不同聚光均匀性条件下接收器温度分布和各材料层(包括电池层、焊锡层和绝缘层)应力应变规律,并对接收器结构进行了优化,同时提出接收器优化设计的几大要素。
在简要介绍几种LED驱动电路的特点以及特性的基础上,详细介绍了利用大功率LED专用控制芯片设计了适用于太阳能LED路灯的控制驱动电路,介绍此电路特点并给出了设计此电路需要考虑的因素。
在太阳能光伏应用中,通常总是将采光面倾斜放置,所以选择最佳的倾角是太阳能工程设计的关键之一,不同光伏发电应用中的,光伏阵列的最佳倾角可以通过理论计算的方式得出。理论计算主要是以光伏系统所处位置的10～20年观察到的气象资料(太阳能总辐照量,直接辐照量及散射量,平均气温等)的平均值作为依据,然而雨雪、灰尘、花粉、空气污染等因素的影响在理论计算分析中很难被考虑到。因此一套实验装置在广州市中山大学太阳能
本文介绍了南开大学近几年来开展新型的ZnO绒面透明导电薄膜研究的最新成果。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法和磁控溅射+湿法腐蚀的方法研究绒面ZnO透明导电膜。目前,用MOCVD的方法制备的ZnO∶B具有类金字塔的表面形貌,其电阻率达到1.2×10-3Ωcm,可见光透过率大于85％；用磁控溅射+湿法腐蚀的方法获得的ZnO∶Al具有弹坑状的表面形貌,其电阻率小于1.0×10-3Ωcm,可见
激光技术可以在太阳电池制造过程中发挥独特的作用。本文首先分析了激光与硅片表面相互作用的特点与规律,将激光在太阳电池制造工艺中的用途归为激光退火、激光区融再结晶以及激光刻蚀三类作用；然后详细介绍激光区融再结晶在太阳电池中的应用实例,如有选择性发射结掺杂、激光烧蚀电极等工艺,其中包括在中山大学激光烧蚀电极的研究。随着人们对激光工艺进一步改进,激光技术将在太阳电池产业化制造领域会得到实际的应用。
采用拉曼(Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)测试和少子寿命测量相结合的方法,研究了不同晶相结构的薄膜硅材料在晶硅表面上的钝化效果。结果表明,相比纳米晶、微晶等晶相结构,非晶硅的钝化效果最好。分析认为,薄膜硅材料中H原子含量越多,钝化效果越好,并且钝化效果与H原子的成键方式有关,Si-H键处于致密的非晶硅薄膜材料内,具有最佳的钝化效果,Si-H2键处于非晶/结晶相的界面上或者薄膜内的微
本文基于20世纪90年代一项针对晶体硅太阳电池光衰减效应进行的国际联合研究简述了光衰减效应的机理,并且介绍了电池硅片中因间隙硼氧对造成的亚稳态缺陷浓度分别随硼和间隙氧浓度的变化关系,最后概述了抑制或减少光衰减效应的措施。