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本文首先简要介绍了微波低噪声放大器设计的理论基础。并在此基础上设计了应用于IEEE802.11b射频标准的平衡结构低噪声放大器。采用GaAs HEMT场效应微波晶体管MGF4941AL，输入输出匹配网络采用双枝节开路短截线微带电路。测试结果表明，本次设计的微波低噪声放大器无条件稳定，在2.3～2.5GHz频率范围内，放大器的增益为9.1～9.4dB，噪声系数为3.5～3.6dB，输入输出回波损耗大于10dB。