【摘 要】
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采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构，通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现，利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射生成的是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜，结晶质量较差；通过改变溅射方法，利用Mg靶通O2的溅射生成的MgO薄膜结晶质量有大幅度的提高
【机 构】
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School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materia
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构，通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现，利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射生成的是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜，结晶质量较差；通过改变溅射方法，利用Mg靶通O2的溅射生成的MgO薄膜结晶质量有大幅度的提高。对这两组样品同时进行400℃真空退火，退火后MgO薄膜结晶质量有一定的改善。
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