W掺杂致PbZrO3薄膜的反铁电-铁电相变研究

来源 :第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yjf1
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  近年来,锆酸铅(PbZrO3)基反铁电材料由于在微机电系统(MEMS)和高密度电荷/能量存储电容器等领域的潜在应用得到越来越多的关注.我们采用sol-gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了掺钨锆酸铅(Pb1.1WxZr1-1.5xO3,PWZ,x=0.00,0.01,0.03,0.05)薄膜,并对薄膜的物相、形貌和介电铁电特性进行了研究.X射线衍射和扫描电子显微镜分析显示薄膜为高取向的纯钙钛矿结构,表面光滑致密.电滞回线测试表明,随着W6+离子掺杂浓度的提高,PWZ薄膜经历反铁电相→反铁电+铁电混合相→铁电相的结构相变.我们还通过微区激光拉曼散射分析对该相变过程进行了进一步的研究.
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