在铜基体上通过化学气相沉积法(CVD)合成大面积石墨烯是一种合成多晶石墨烯最具代表性的方法，这些石墨烯是多个小的单晶通过晶界外延生长得到的。具有不同取向的多层石墨烯在多晶铜箔表面同时自由随机成核，并开始生长。随着生长的不断进行，石墨烯晶粒开始合并，并最终形成相互连接的多晶薄膜。晶粒的尺寸和它们之间的晶界被视为影响石墨烯薄膜电性能和机械性能的关键因素。石墨烯起初的成核和生长动力学对CVD石墨烯薄膜最终质量至关重要。虽然它是合成大面积高质量单晶石墨烯薄膜理想的方法，但是实现这一目标需要降低单个石墨烯晶粒的成核密度以及减小晶界。然而仅仅通过控制石墨烯晶粒的成核数量是远远不够的。单个石墨烯晶粒的形状和结构也将影响其性质并最终影响多晶石墨烯薄膜的晶界。因此，裁剪和直接观察晶粒的形状对研究其生长机理具有非常重要的意义，也对未来扩大对单晶石墨烯固有性质的应用具有重要意义。我将阐述我最近关于铜箔上CVD法生长石墨烯的动力学。同时还将讲述用低压的方法合成正方形石墨烯、单晶石墨烯以及单层石墨烯晶粒。最后我还将讲述石墨烯在动力电池的最新应用进展。