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通过不同的source power和bias power比例,以及SF6,Cl2和02比例和腔室真空度与刻蚀均一性方面的关系,然后选取均一性最好条件,通过调整刻蚀时间,来控制不同的a-si残留厚度和残留量均一性与TFT特性关系,达到优化channel刻蚀工艺的目的。
a-Si残留量及其均一性对TFT特性曲线影响研究
【摘 要】
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通过不同的source power和bias power比例,以及SF6,Cl2和02比例和腔室真空度与刻蚀均一性方面的关系,然后选取均一性最好条件,通过调整刻蚀时间,来控制不同的a-si残留厚
【机 构】
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天马微电子有限公司
【出 处】
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2014中国平板显示学术会议
【发表日期】
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2014年期
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