【摘 要】
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利用CVD技术合成的石墨烯研制成纳电子器件,并通过控制偏压实现了纳米尺度点光源。该种光源可在室温、大气条件下稳定工作,稳定的工作时间至少在 5 000 s以上。其发光光
【机 构】
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北京大学微电子学系,北京100871
【出 处】
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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利用CVD技术合成的石墨烯研制成纳电子器件,并通过控制偏压实现了纳米尺度点光源。该种光源可在室温、大气条件下稳定工作,稳定的工作时间至少在 5 000 s以上。其发光光谱呈现双峰结构,且位于近红外区,峰位和发光强度均可由偏置电压来调制。发光位置集中在金属(M)与石墨烯(G)相接触的交界处,即M/G结处。发光机制为：在强电场的驱动下,M/G结处的载流子可由金属遂穿至石墨烯,使得石墨烯中M点的电子跃迁至反π键轨道,并在声子的辅助下衰变至K点的费米能级而发光。该光源结构可转移至任意衬底结构,制造工艺与硅基半导体工艺兼容,且便于集成,可应用于集成光路、高分辨率显示等领域,具有潜在的应用前景。
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