【摘 要】
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利用绝缘层上的硅(SOI)材料，分别制备出一维限制的单晶Si量子阱结构和二维限制的Si纳米线结构。在室温下研究了单晶Si量子阱的光致发光(PL)特性，观测到量子限制效应引起的
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构国家实验室，江苏南京210093
【出 处】
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2012年第十六届华东六省一市物理学会联合年会
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利用绝缘层上的硅(SOI)材料，分别制备出一维限制的单晶Si量子阱结构和二维限制的Si纳米线结构。在室温下研究了单晶Si量子阱的光致发光(PL)特性，观测到量子限制效应引起的发光峰位随阱层厚度变小的蓝移现象。对Si纳米线进行的电学特性研究中，在低温下发现由量子点导致的库伦阻塞效应和背电极调制的库伦振荡现象。
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