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从理论上分析了CdS/CdTe/Au 器件的Roll over 和Cross over 现象。通过对比有无插入层的CdTe 太阳电池在C-V特性, I-V特性,光谱响应的不同,肯定了插入层对改善背接触特性的作用;发现它还可以改善器件前结CdS/CdTe 的二极管特性和短波光谱响应。实验结果还表明,不掺杂的ZnTe 对提高器件的效率是必要的。恰当的不掺杂层厚度和退火温度能最有效地改进CdTe 太阳电池的性能,而对填充因子的提高最为显著。