【摘 要】
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在此报告中,Roche教授会讨论在高度复杂的石墨烯基材料(化学还原法,单晶石墨烯,化学功能化处理,hBN-石墨烯杂合物)中如何计算电荷迁移性质。这种材料可以大规模工业化制
【机 构】
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加泰罗尼亚纳米科学和纳米技术研究所ICN2,西班牙
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在此报告中,Roche教授会讨论在高度复杂的石墨烯基材料(化学还原法,单晶石墨烯,化学功能化处理,hBN-石墨烯杂合物)中如何计算电荷迁移性质。这种材料可以大规模工业化制备,并能在柔性电子、储能和自旋电子上有广泛应用。报告将介绍多尺度模拟在研究中的重要贡献。该模拟对于非常大的系统(超过10亿个原子的系统)有很高的模拟预测能力,已经达到实验和技术尺度。报告将主要介绍石墨烯的结构性缺陷的电、热传输性质的定量分析。这种结构性缺陷可能产生于晶圆级石墨烯CVD生长、机械或化学剥离、或者化学转移到不同基底并组合成器件等过程。报告还会介绍单晶石墨烯的电荷迁移的基础性质、CVD生长的石墨烯的平均晶粒尺寸变化的计算及晶界化学反映活性。此外,还会涉及相关的器件优化和多种功能应用,例如化学传感器。
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