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本文中我们利用离子注入的方法对本系统外延生长的GaN薄膜进行Mg掺杂,通过在N<,2>气氛中退火,使用掺杂区域的本征N型GaN转为P型,空穴浓度为2.70×10<17>/cm<3>,迁移率为9.39cm<2>/Vs,从而形成PN结,这些工作为后续的GaN器件的研制打下了基础.
通过离子注入进行硅基GaN的P型掺杂
【摘 要】
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本文中我们利用离子注入的方法对本系统外延生长的GaN薄膜进行Mg掺杂,通过在N气氛中退火,使用掺杂区域的本征N型GaN转为P型,空穴浓度为2.70×10/cm,迁移率为9.39cm/Vs,从而形
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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