【摘 要】
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锗锡(GeSn)合金由于带隙属性和大小可调以及高迁移率的特性,已经成为拓展当前硅基光电器件应用领域的潜力材料.锗本身是一种不利于发光的间接带隙半导体材料,但是,当向锗中加入锡后,能带结构将发生改变,并于锡组分达到7％时转变为直接带隙.GeSn二元系统的热平衡固体互溶度仅有1％,偏析是高质量GeSn合金生长中最大的挑战.
【机 构】
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中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海科技大学,物质科学与技术学院,上海,201210
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锗锡(GeSn)合金由于带隙属性和大小可调以及高迁移率的特性,已经成为拓展当前硅基光电器件应用领域的潜力材料.锗本身是一种不利于发光的间接带隙半导体材料,但是,当向锗中加入锡后,能带结构将发生改变,并于锡组分达到7％时转变为直接带隙.GeSn二元系统的热平衡固体互溶度仅有1％,偏析是高质量GeSn合金生长中最大的挑战.
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