低温生长Si层中掺锑对上层SiGe虚拟基片中应变的影响

来源 :第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lu_bo_123
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本文通过分析论证:SiGe虚拟基片是制备具有应变的SiGe/Si基异质结构的基础,其应变状态直接影响成长于其上的SiGe/Si基异质结构的应变并进而影响后者的光电特性.本文利用固源分子束外延技术在低温生长的Si层(LT-Si)上沉积SiGe虚拟基片,通过高分辨X射线衍射研究了在LT-Si中掺锑对SiGe虚拟基片的应变状态的影响.结果表明在LT-Si中掺锑可以有效地调制SiGe虚拟基片的应变弛豫状态.作为表面活化剂的锑在LT-Si表面的偏聚可能是SiGe虚拟基片的应变发生快速弛豫的主要原因.
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