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Er[*+*]离子注入ZnSe MIS二极管的电致发光
Er[*+*]离子注入ZnSe MIS二极管的电致发光
来源 :第四届全国发光学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yaoyanfeiyu
【摘 要】
:
该文研究了在室温下经Er[*+*]离子注入ZnSe晶体的电致发光,首次报导了三价稀土离子在ZnSeMIS结二级管中的发光。阐明了Er[*+*]离子是在高场下通过过热电子直接碰撞激发的,根据
【作 者】
:
田华
范希武
许少鸿
【机 构】
:
中国科学院长春物理研究所
【出 处】
:
第四届全国发光学术会议
【发表日期】
:
1986年期
【关键词】
:
离子注入
二极管
电子直接碰撞激发
三价稀土离子
发光中心
电致发光
室温下
二级管
效率
器件
晶体
分立
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该文研究了在室温下经Er[*+*]离子注入ZnSe晶体的电致发光,首次报导了三价稀土离子在ZnSeMIS结二级管中的发光。阐明了Er[*+*]离子是在高场下通过过热电子直接碰撞激发的,根据分立中心是高场激发的有效发光中心,可望在这类器件中有较高的效率。(本刊录)
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