镶嵌在Si3N4薄膜中的Ge纳米晶发光特性研究

来源 :2013 年(第五届)西部光子学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gracestoney
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  本文采用磁控溅射与退火的方法在Si沉底上制备了Nd离子参杂的镶嵌在Si3N4薄膜中的Ge纳米晶。利用光致发光(PL),结合X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱研究了这种复合薄膜的发光机理。在Ge纳米晶接近完全晶化的样品中,由于Nd离子的浓度一定,退火时间与退火温度对Ge纳米晶的尺寸和发光性能具有明显的影响。
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