【摘 要】
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鈣態礦太陽能電池擁有高效率、低成本與製程簡單等優點;本研究透過陽極定電流沉積法製備薄且緻密的二氧化鈦阻隔層,降低導電玻璃界面的再結合現象.藉由調控電流密度與沉積時間來控制二氧化鈦薄膜的形貌與厚度,並探討阻隔層之製備條件對元件光電化學特性的影響;使用電化學的循環伏安法(CV)檢測二氧化鈦阻隔層之孔隙度,其中電沉積阻隔層的孔隙率僅有常用的旋轉塗佈法的0.7 倍;電沉積之阻隔層最佳元件效率為15.5％,
【机 构】
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國立清華大學(新竹)化工系 台灣新竹市光復路二段101號
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鈣態礦太陽能電池擁有高效率、低成本與製程簡單等優點;本研究透過陽極定電流沉積法製備薄且緻密的二氧化鈦阻隔層,降低導電玻璃界面的再結合現象.藉由調控電流密度與沉積時間來控制二氧化鈦薄膜的形貌與厚度,並探討阻隔層之製備條件對元件光電化學特性的影響;使用電化學的循環伏安法(CV)檢測二氧化鈦阻隔層之孔隙度,其中電沉積阻隔層的孔隙率僅有常用的旋轉塗佈法的0.7 倍;電沉積之阻隔層最佳元件效率為15.5％,高於旋轉塗佈法之阻隔層元件效率的13.6％,其主要改進在短路電流(JSC)與填充因子(FF)部分,顯示電沉積阻隔層的緻密性能有效抑制FTO 界面的再結合反應,提升電子收集效率及降低整體元件內電阻.
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