【摘 要】
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该文利用激光冲击强化技术分别对奥氏体不锈钢１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ和镍基高温合金ＧＨ３０进行了表面强化处理，观察了激光表面强化处理后１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ和ＧＨ３０显微组织与结构的变化，测定了１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ和ＧＨ３０的显微硬度和残余应力。结果表明：激光表面强化处理后的１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ和ＧＨ３０冲击区微观结构中出现很高的位错密度和大量的孪晶；冲击区的显微硬度得到较大提高；冲击区表面获得了较高的残
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该文利用激光冲击强化技术分别对奥氏体不锈钢１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ和镍基高温合金ＧＨ３０进行了表面强化处理，观察了激光表面强化处理后１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ和ＧＨ３０显微组织与结构的变化，测定了１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ和ＧＨ３０的显微硬度和残余应力。结果表明：激光表面强化处理后的１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ和ＧＨ３０冲击区微观结构中出现很高的位错密度和大量的孪晶；冲击区的显微硬度得到较大提高；冲击区表面获得了较高的残余压应力。另外１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ冲击区发生了形变诱发马氏体相变。
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该文研究了Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３〉陶瓷在高压下的烧结行为。结果表明：高压对烧结致密化进程具有较大的促进作用，在烧结后期引起晶粒异常长大。晶粒生长与致密度关系密切，当致密度低于９４℅时，晶粒生长缓慢，一旦超过此值，晶粒迅速长大。
镁镍合金－－Ｍｇ〈，２〉Ｎｉ是一种典型的贮氢材料。该文着重研究了应用自蔓延高温合成技术，制备这种材料的可行性，在研究中，主要讨论了颗粒尺寸、混合方式等因素对合成产物相成分的影响，结果表明，尽管镁镍系统反应热较少，但是在一定条件下，Ｍｇ〈，２〉Ｎｉ的自蔓延高温合成还是能实现的，而且在使用２．４μ的细镍粉和湿混合的条件下，可以得到高纯度的Ｍｇ〈，２〉Ｎｉ样品材料。
在２９８－３３３Ｋ温度范围内研究了贮氢合金ＭｌＮｉ〈，５－ｘ〉Ｓｎ〈，ｘ〉（ｘ＝０，０．２）在α＋β区恒温吸氢动力学。研究结果表明，ＭｌＮｉ〈，５〉合金中加入锡后，吸氢速度明显加快，吸氢动力学机制由平台区前期的化学反应控速和后期的扩散控速转变为吸氢受形核长大控制，并给出了相应的速率方程。
少量氧化铝与部分稳定氧化锆复合，进行了不同工艺实验，研究热压烧结与无压烧结以及烧结温度对材料结构与性能的影响。结果表明，加入氧化铝后，复合材料中微观结构晶粒尺寸分布出现了双峰结构，有利于力学性能的提高。在无压烧结条件下，复合材料抗弯强度为８０５ＭＰａ，断裂韧性１２．５ＭＰａ·ｍ〈’１／２〉。
该文应用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了不同气氛（Ａｉｒ、Ａｒ、Ｈ〈，２〉、Ｎ〈，２〉、Ｏ〈，２〉）对于３ｍｏｌ℅Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＺｒＯ〈，２〉与１０ｍｏｌ℅ＣｅＯ〈，２〉－ＺｒＯ〈，２〉缺陷结构和浓度的影响。结果表明：由于氧分压不同，不同气氛中处理的样品得到的正电子湮没寿命及相对强度不同，而不同的寿命及强度反映了捕获正电子的缺陷类型和数量的不同。３ｍｏｌ℅Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＺｒＯ〈，２〉
用磁控溅射的方法制备出了具有不同厚度的ＮｉＴｉ薄膜。探索出了最佳晶化条件为５５０℃保温０．５ｈ。研究了薄膜的相变行为和记忆效应，发现其相变顺序和记忆效应与体材料相近。并且在加应力晶化的具有一定厚度比的ＮｉＴｉ／Ｃｕ复合膜中获得了双程记忆效应。
实验研究了质子辐照的ＫＮｂＯ〈，３〉晶体的光折变响应特性。实验结果揭示出在质子辐照后的晶体中存在着两种不同的光栅，其一是由晶体本身的光折变效应所产生，另一个则是由于质子辐照所产生的效应。实验结果还反映出较低剂量的辐照几乎不改变晶体的光折变时间常数，并且未发现存在两种光栅。
该文对ＴｉＮ粒度为３０μｍ的三种不同含量的ＴｉＮ〈，（ｐ）〉／Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉陶瓷进行了断口形貌及压痕裂纹扩展路径观察（ＳＥＭ）。结果表明：三种陶瓷断口均表现为沿晶断裂，随ＴｉＮ含量的增加，兼有部分穿晶（ＴｉＮ）断裂的特征，并对实验结果和断裂机制作出了解释。
该文报道了沟道离子束合成法研制稀土硅化物的实验新进展－－合成了高结晶品质的ＹＳｉ〈，１．７〉及其三元稀土硅化物Ｎｄ〈，０．３２〉Ｙ〈，０．６８〉Ｓｉ〈，１．７〉，并用背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ）技术，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），透射电镜（ＴＥＭ）及能散谱（ＥＤＳ）分析了晶体结构，还进行了有特色有ＹＳｉ〈，１．７〉的应变研究。
用ＵＨＶ／ＣＶＤ法在７８０℃生长了锗硅外延层，并利用双晶Ｘ射线衍射仪研究了组分渐变缓冲层对外延层晶体质量的影响。结果表明，缓冲层的组分从衬底到外延层几乎线性渐变，外延层成份均匀，使双晶衍射摆动曲线半高峰宽（ＦＷＨＭ）宽化的主要原因是衍射晶面取向分散，说明驰豫过程中形成了Ｍｏｓａｉｃ微结构。生长组分渐变缓冲层后，衍射晶面取向分散的影响对锗硅外延层顶层ＦＷＨＭ宽化５５０ａｒｃｓｅｃ，而单一外延层中为７