【摘 要】
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采用Ni箔作为中间层成功实现了ZrB2-SiC陶瓷(ZS)与Nb的扩散连接.利用扫描电镜、能谱和X-射线衍射仪分析了接头界面组织成分和物相演变规律.结果表明:在连接温度为900℃时接头的典型界面结构为Nb/Ni3Nb/(Ni,Nb)ss/(Ni,Si)ss/NisZr/ZS.随着连接温度的升高,富Ni中间层逐渐消失.Ni在ZrB2-SiC陶瓷内部形成晶间渗入.适当厚度的晶间渗入层形成了陶瓷向金属的
【机 构】
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哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室,黑龙江哈尔滨150001
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采用Ni箔作为中间层成功实现了ZrB2-SiC陶瓷(ZS)与Nb的扩散连接.利用扫描电镜、能谱和X-射线衍射仪分析了接头界面组织成分和物相演变规律.结果表明:在连接温度为900℃时接头的典型界面结构为Nb/Ni3Nb/(Ni,Nb)ss/(Ni,Si)ss/NisZr/ZS.随着连接温度的升高,富Ni中间层逐渐消失.Ni在ZrB2-SiC陶瓷内部形成晶间渗入.适当厚度的晶间渗入层形成了陶瓷向金属的梯度过渡.当焊接温度为1000℃,保温60 min时,接头获得最高抗剪强度为123MPa.
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