【摘 要】
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AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10cm,比GaAs基和I
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Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10<13>cm<-2>,比GaAs基和InP基调制掺杂HEMT结构材料的二维电子气浓度高一个多量级.本文从实验和理论两方面对极化诱导Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT结构材料和器件进行了研究.
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