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介绍研制短波半导体激光器的新方法-激光分子束外延(L-MBE)生长ZnO纳米晶薄膜.这种生长于蓝宝石衬底的宽带隙氧化物纳米晶薄膜结构已经实现室温下光泵激发的紫外受激发射;调整晶粒自身的尺寸和结晶质量,可以在较低的光泵阈值下实现紫外激光.
一种氧化物半导体激光器材料-ZnO纳米晶薄膜及其紫外激光
【摘 要】
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介绍研制短波半导体激光器的新方法-激光分子束外延(L-MBE)生长ZnO纳米晶薄膜.这种生长于蓝宝石衬底的宽带隙氧化物纳米晶薄膜结构已经实现室温下光泵激发的紫外受激发射;调
【机 构】
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西安交通大学电信学院电子系
【出 处】
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第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议
【发表日期】
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2001年期
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