铟镓砷PIN光电探测器辐照γ射线和质子损伤机理的研究

来源 :第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lockin025
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该文是用电子十三所研制的长波长红外探测器InGasPIN进行r射线和质子辐照的研究。R射线的最高剂量是3E6rad(Si)。辐照结果表明器件暗电流略有增大。击穿电压基本不变,响应度变化在30℅以内。在2MeV质子能量辐照下,采用不同的剂量辐照结果表明在1*10<15>/im<2>下,器件全部损伤。当剂量减小,损伤程序减小。当剂量小于1*10<10>/im<2>时,器件性能参数基本不变。实验证明当有屏蔽时,器件损伤大大减轻,该文还对器件损伤机理进行了分析。这些实验结果对InGasPIN器件在宇航通讯中有重要意义。
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