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基于镍纳米晶的MOS结构存储效应及机理研究
【机 构】
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浙江师范大学,金华,321304
【出 处】
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中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
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2011年9期
其他文献
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会议
太赫兹(THz,1 THz=1012 Hz)量子器件具有体积小、易集成、寿命长、可靠性高等特点.THz量子级联激光器(THz QCL)[1]和量子阱探测器(THz QWP)[2]是其中的重要辐射源和探测器,是紧凑型THz 应用技术领域中不可或缺的两种器件.到目前为止,THz QCLs 在理论设计和实验研制上均取得了重大进展[3,4].
Microstructure dependence of leakage and resistive switching behaviors in Ce-doped BiFeO3 thin films
会议
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We have theoretically investigated current self-oscillation in doped n+nn+ wurtzite InN diodes driven by dc electric field by solving a time-dependent drift-diffusion model.The current self-oscillatio
会议
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