用商用Gd制备的Gd<,5>Si<1.85>Ge<2.15>的结构变化研究

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qhjiso

【摘要】

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采用国产商用普通Gd和在此基础上提纯的高纯Gd制成GdSiGe两种样品,在220～300K温度范围内对样品进行热膨胀测试,然后在T=200K和T=298K温度下,进行X射线衍射测试,结果发现两种样

【作者】

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陈艳萍龙毅万发荣

【机构】

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北京科技大学材料学院(北京)

【出处】

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第四届中国功能材料及其应用学术会议

【发表日期】

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2001年期

【关键词】

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商用样品温度范围射线衍射晶体结构结构相变测试热膨胀高温区低温区提纯基础

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采用国产商用普通Gd和在此基础上提纯的高纯Gd制成Gd<,5>Si<1.85>Ge<2.15>两种样品,在220～300K温度范围内对样品进行热膨胀测试,然后在T=200K和T=298K温度下,进行X射线衍射测试,结果发现两种样品的晶体结构在低温区和在高温区是不同的,表明用商用Gd也能产生结构相变.

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