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许多体外研究显示,在非小细胞肺癌(NSCLC)的不同细胞系间携带Kras突变基因的细胞株辐射敏感性低于携带Kras野生型基因的细胞株,其机制是Kras突变基因抑制辐射诱导的DNA双链断裂(DSB)损伤及促进损伤修复.但这些研究忽略了不同细胞株间基因背景的不一致性,因而探讨相同基因背景下Kras突变基因在NSCLC中降低辐射敏感性的作用及其可能机制,可能会为临床靶向治疗提供重要的实验依据.
目的:观察Kras突变基因对非小细胞肺癌细胞株H1703辐射敏感性的影响并探讨其可能的作用机制。
方法:1)H1703自身携带野生型Kras基因,通过基因转染将Kras突变基因真核表达质粒转染至H1703并筛选稳定表达细胞株,成功构建同源配对H1703细胞系(Hl703krasmt/H1703kraswt);2)通过不同剂量下克隆形成试验比较H1703krasmt/H1703kraswt细胞辐射敏感性;3)采用53BPlfoci作为DNA双链断裂的标志,检测lGy电离辐射15min后诱导H1703krasmt/H1703kraswt细胞对DNADSB损伤情况;4)基因芯片筛选H1703krasmt/H1703kraswt细胞间差异表达基因,选取显著上调表达的OPN基因进行特异性siRNA干扰,比较抑制OPN上调表达后H1703krasmt/H1703kraswt细胞对lGy电离辐射15min后诱导DNA DSB损伤反应差异。
结果:1)克隆存活曲线显示H1703krasmt各剂量点(2Gy,4Gy,6Gy和8Gy)的存活分数均高于H1703kraswt (P<0.05),说明携带Kras突变基因细胞抗辐射能力增强。2)电离辐射诱导产生53BPlfoci(>20foci)在H1703krasmt显著低于H1703kraswt(P<0.05),提示H1703krasmt辐射抗性增强是由于在电离辐射作用下产生了较H1703kraswt少的DSB。3)基因芯片筛选出OPN是H1703krasmt/H1703kraswt细胞对间首位显著上调表达的差异基因;siRNA干扰抑制OPN表达后,辐射诱导的53BPlfoci(>20foci)在H1703krasmt/H1703kraswt细胞对间显著性差异消失,表明OPN参与了Kras突变基因对H1703细胞辐射敏感性的调节。
结论:Kras突变基因对H1703肺癌细胞辐射敏感性具有抑制作用,这种作用可能是通过上调OPN表达进而抑制电离辐射诱导DNA DSB损伤反应有关。