【摘 要】
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基于对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.新方法将序进应力加速试验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.并以样品3DG130为例,进行了160℃-310℃范围内的序进应力加速寿命试验,然后根据模型,计算得到了器件的寿命分布和失效率.结果与文献能够很好的吻合,验证了方法的可行性。
【机 构】
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北京工业大学,电子信息与控制工程学院,可靠性研究室,北京,100022
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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基于对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.新方法将序进应力加速试验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.并以样品3DG130为例,进行了160℃-310℃范围内的序进应力加速寿命试验,然后根据模型,计算得到了器件的寿命分布和失效率.结果与文献能够很好的吻合,验证了方法的可行性。
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