基于虚拟仪器技术的火车闸片磨擦系数测试系统

来源 :第十二届全国测试与故障诊断技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dfly1818
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
虚拟仪器是当今仪器仪表发展的趋势,根据硬件结构、总线结构、开发平台的不同,虚拟仪器系统有一套典型开发步骤和系统构建方式.本文介绍了一种利用基于虚拟仪器技术的火车闸片摩擦系数测试系统的设计,给出了系统的硬件结构和软件设计的思路.
其他文献
在本文中比较了三种利用高频C-V曲线提取MOS结构中氧化层厚度的方法,描述了每种方法的优缺点,并且利用这三种方法提取了现有的样品(MOS电容器)的氧化层厚度.
在SiO可靠性研究中激活能(Ea)是一个关键的可靠性参数,要准确确定Em值,并进行可靠性寿命预测,关键在于确定Ea的转变温度Tc,进而确定出Eae的值,用这个低温区的击穿激活能Eae值外推出工作温度下的SiO寿命,可以提供可靠的预测结果.
本文采用一种新的方法计算双极器件中原位掺B的SiGe锗硅基区禁带变窄量.这种方法利用V做自变量,在室温和液氮温度下测量器件的Gummel图,获得两条V~lnI直线,求解交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔE.用这种方法测试的锗硅基区禁带变窄量的151meV,这个测量结果与文献中的数值符合得较好.
随着微电子工艺技术的不断进步,基于LOCOS的隔离技术已经不适应深亚微米工艺的要求,浅沟槽隔离(STI)技术由于所具有的几乎为零的场侵蚀,更好的平坦性和抗锁定性能以及低的结电容,已成为深亚微米工艺的主流隔离技术.本文地STI技术中的浅沟槽的形成进行了研究,获得了能满足STI隔离技术要求的浅沟槽.
给电镀液中加入适当的整平剂,同时采用了三步电流法,成功的将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中,实现了对高宽比为1μm:0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充.所镀铜膜的电阻率为2.0μΩ·cm,X衍射的分析结果显示出的Cu(111)的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求.
本文介绍一种利用电荷恢复逻辑的Wallace-tree八位乘法器的设计.乘法的基本逻辑为我们自己提出的一种电荷恢复逻辑DSCRL(Dual-Swing Charge-Recovery Logic)电路单元.文中讨论了适于DSCRL电路实现的乘法器逻辑结构并给出了乘法器的电路.
我们所设计的液晶显示驱动电路包含三个信号输出电路,136个高压液晶显示驱动信号,即16个COMMON和120个SEGMENT,它与MCU有并行的接口能力,具有广泛的应用价值.
本文介绍了国家高频功率VDMOS器件的一个实际应用的例子,并研制出实用化的功率放大器,对国产新型功率器件-VDMOS的性能和推广应用进行了有益的探索.
本文主要讨论MCM高速16位采样A/D转换器的系统设计、电路设计和MCM工艺技术,并研究了这种A/D转换器.这种混合集成的A/D转换器是46引线双列进插式铝管壳封装,±5V电源工作,分辩率16位,采样速率2MHZ,输入模拟信号范围为峰峰值±.25V.
本文运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括工作在不同的温度下,具有不同的势垒高度以及在半导体一侧不同的掺杂浓度下的正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,在比较高的掺杂浓度和比较低的工作温度下,隧穿电流成为结电流主要的部分.