【摘 要】
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硫化镉是一种Ⅱ-Ⅵ窄带隙半导体材料,可见光下的光催化性能很强,带隙是2.4eV,但是易发生光氧化导致稳定性差[1].为了提高硫化镉的性能,主要从两方面着手,一是负载电子型催化助剂,提高光生空穴与电子的转移效率,减少表面态缺陷引起的复合,二是通过掺杂、复合其他带隙的半导体材料来调控复合材料的带隙,增加光生空穴的转移速率,增强硫化镉的稳定性[2-3].
【机 构】
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华南理工大学化学与化工学院 广州 510640
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硫化镉是一种Ⅱ-Ⅵ窄带隙半导体材料,可见光下的光催化性能很强,带隙是2.4eV,但是易发生光氧化导致稳定性差[1].为了提高硫化镉的性能,主要从两方面着手,一是负载电子型催化助剂,提高光生空穴与电子的转移效率,减少表面态缺陷引起的复合,二是通过掺杂、复合其他带隙的半导体材料来调控复合材料的带隙,增加光生空穴的转移速率,增强硫化镉的稳定性[2-3].
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