【摘 要】
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本论文主旨是在探讨、分析及制作1.8GHz氮化鎵低杂讯功率放大器(Low noise amplifier),利用0.5um氮化铝镓/氮化镓高电子移导率场效电晶体(A1Gabl/GeN high electron mobility transistor,HEMT),制作一个两级的架构,第一级尽量降低输出杂讯,第二级提高输出增益,且翰入端用低通滤波器(Low-pass filter)尽量匹配到50Ω,
【机 构】
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台灣萬能科技大學電子系 中山科學研究院光電材料研究所
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本论文主旨是在探讨、分析及制作1.8GHz氮化鎵低杂讯功率放大器(Low noise amplifier),利用0.5um氮化铝镓/氮化镓高电子移导率场效电晶体(A1Gabl/GeN high electron mobility transistor,HEMT),制作一个两级的架构,第一级尽量降低输出杂讯,第二级提高输出增益,且翰入端用低通滤波器(Low-pass filter)尽量匹配到50Ω,中闸及轮出端则用高通滤波器(High-pass filter)来做适当的匹配,使其放大器能达到最大增益.再藉由寅作来验证其可行性.
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对AlGaN/GaN HEMT器件进行了高温测试,得到了器件直流、交流特性随着环境温度升高而退化的规律。实验发现,200℃下器件的主要参数如饱和电流和峰值跨导等均发生明显退化。分析表明,器件直流特性的退化主要源于高温下2DEG迁移率的明显降低,此外2DEG密度的降低也是直流特性退化的另一因素。通过对器件肖特基特性的变温测试发现,高温下器件栅泄漏电流明显增大。研究表明,随着温度的升高,势垒层陷阱活性
本文主要介绍了热退火对Mg掺杂的A10.25Ga0.75N的影响。我们研究了不同的退火温度对表面形貌,材料质量以及电性能的影响,并且在室温下得到了电阻率为4.37Ω·cm的样品结果。我们还讨论了退火对于Mg浓度以及杂质原子(H,O,C)浓度的影响,发现热退火导致了Mg原子的重新分配并且使得H和O原子逃离了周体薄膜,而C原子的浓度反倒增加.
为了解决MOS结构high-k介质引入的界面态问题和栅控能力降低,本文通过F基刻蚀si3N4和Cl基刻蚀AlGaN形成槽栅结构的MOS-HEMT8器件(Cl基刻蚀时间分别为15S,17s和19s)。常规MDS-HEMTs器件的肖特基反向漏电比常规HEMTs器件小三个量级。通过槽栅刻蚀后,器件的跨导有较大的提高。用变频C-F法测量MOS结构的界面态,我们发现当槽栅深度为1.02nm时。界面特性最佳,
研制出蓝宝石衬底的15nm势垒层的F注入增强犁AlGaN/GaNHEMT。薄势垒耗尽型器件阈值电压为-1.7V,而常规的22nm器件阈值电压为-3.5V,因此薄势垒器件更易于实现增强型。栅长0.5μm,源漏间距4μm,器件在150W 100s的F等离子体处理的条件下,阈值达到1.3V。退火可以有效恢复等离子体处理诱导的损伤提高二维电子气的迁移率。器件在N2气氛中300℃2min退火后饱和电流达到3
AlGaN/GaN异质结制作Ni肖特基接触之后,将样品在N2氛围下进行600℃热退火,退火时间分别为0.5h,4.5h,10.5h,18h,33h,48h,72h.测量样品的电流-电压(I—v)曲线和电容一电压(C—V)曲线,并进行薛定谔-泊松方程自洽迭代计算获得以下与AlGaN/GaN异质结肖特基接触相关的特征参数:二维电子气(2DEG)面电荷密度。计划电荷面密度,三角形势阱中二维电子气分布,以
GaN HEMT器件的常温反偏老化实验中发现器件的栅漏电流明显增大。微区拉曼研究发现,栅漏电的增加伴随着HEMT器件沟道GaN材料张应力的增加。研究表明此结果和逆压电效应有关。外加反向电场致使AlGaN势垒层形变增加,当AlGaN层形变超过临界时发生晶格松弛。导致AlGaN势垒层位错和缺陷增加。GaN沟道层附近受到SiC衬底的张应力和AlGaN势垒层的压应力共同作用,AlGaN晶格的松弛促使沟道附
采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体发生系统清洗n型4H—SiC(0001)表面,利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程中表面微结构进行实时监控,并用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析。RHEED结果显示,SiC表面结构受氢等离子体清洗时间和温度的影响,在200℃～700℃温度范围内,特别是在400℃和500℃时处理合适的时间后SiC表面平整,原子排列规则,单晶取向性好,且表面
碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky 二极管(MPS)是一种理想的整流器件。本文利用二维半导体器件模拟软件ISE—DESSIS讨论了一种具有埋层的4H—SiC MPS的新犁结构,分析表明埋层的加入能有效降低反向漏电流的大小。并详细研究了埋层的掺杂浓度、深度以及间距对器件反向漏电流和正向压降的影响.
本文利用氮氢混合等离子体处理SiO2/SiC界面,并借助于MOS 电容的I-V、C-V电学特性测试对氧化膜质量及界面电学特性进行评价。测试结果显示,氮氢混合等离子体处理10min效果最好,获得的氧化膜击穿场强为9.92MV/cm.SiO2与SiC间的势垒高度为2.71ev,同时导带附近(Ec—E=0.23eV)的界面态密度降低至1.14×1012cm—eV-1这表明氮氢混合等离子体处理能在不破坏氧
在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型为基础,分析了Ni肖特基接触势垒高度,并通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解计算得到制备样品零偏压下势垒高度:又依据导出的AlGaN/GaN异质结构中零电场下的势垒高度同零偏压下势垒高度之间的关系,计算得到所制备样品零电场下