【摘 要】
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钨铜复合材料因低膨胀系数、高导热性,可有效传输集成电路产生的热量,从而延长电路的使用寿命.铜包覆钨复合粉体有利于钨铜复合材料的综合性能的提高.采用间歇式电镀法成
【机 构】
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中国科学院过程工程研究所湿法冶金清洁生产技术国家工程实验室,中国科学院绿色过程与工程重点实验室,北京100190
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钨铜复合材料因低膨胀系数、高导热性,可有效传输集成电路产生的热量,从而延长电路的使用寿命.铜包覆钨复合粉体有利于钨铜复合材料的综合性能的提高.采用间歇式电镀法成功制备出钨铜包覆粉体,研究了不同电镀时间对复合粉体表面形貌、镀层厚度、含铜量以及铜镀层沉积速率的影响以及铜镀层的形成机理.结果表明,制备出的复合粉体为铜包钨核壳结构,铜镀层均匀、致密,表面粗糙度小；在电流密度为1.7 A/dm2的条件下,电镀30和75 min的平均镀层厚度分别为0.69和1.96μm,含铜量分别为9.97％和23.76％,沉积速率分别为36.91和41.34 mg.min-1,镀层厚度、沉积速率均随电镀时间的增加而增加；铜镀层的形核和长大遵循Volmer-Weber模式.
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