【摘 要】
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本文从专利的角度研究LED产业技术制高点之一的MOCVD设备技术的竞争格局和发展趋势.选择THOMSON的DWPI数据库和广东省专利信息服务平台的国家知识产权局全领域代码化专利数据库进行专利检索(截止时间2011年12月31日),分别从整体产业、国家(地区)、广东省、技术构成以及主要公司来华专利布局等方面,研究了中国和广东省MOCVD设备专利技术发展态势、布局情况,并对LED产业MOCVD设备专利
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631
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本文从专利的角度研究LED产业技术制高点之一的MOCVD设备技术的竞争格局和发展趋势.选择THOMSON的DWPI数据库和广东省专利信息服务平台的国家知识产权局全领域代码化专利数据库进行专利检索(截止时间2011年12月31日),分别从整体产业、国家(地区)、广东省、技术构成以及主要公司来华专利布局等方面,研究了中国和广东省MOCVD设备专利技术发展态势、布局情况,并对LED产业MOCVD设备专利发展提出预警和战略建议.
其他文献
本报告主要介绍两个方面的内容.一是高纯MO源和电子气体在技术和应用方面的发展趋势.另一个是这些电子材料在国内产业化的现状.高纯MO源和高纯电子气体都是MOCVD生产工艺中的关键材料.在制备GaN,和GaAsP等工艺中,这些材料的性能直接影响到发光二极管的光电效率.
InGaN量子点是一种三维方向的纳米结构,相比于量子阱的一维量子限制,量子点存在三个方向上的量子限制,可以有效减小InGaN材料在传统c面GaN上外延生长时的应变,因此在一定程度上抑制量子限制斯塔克效应并有利于In的并入,是实现氮化物长波长可见光LED的有效途径.
离子植入技术是一种利用高能量将离子加速,植入目标材料表面下的过程.离子植入技术目前已经被广泛的应用于集成电路的制作.在化合物半导体光电子器件方面,如面射型激光器(VCSELs),吾人亦可利用离子植入技术造成选择性的损伤来造成不导电的绝缘区域,而达到将注入的电流集中至主动区(active region),进而改善面射型激光器的特性.
随著LED照明市场的普及程度不断提高,市场竞争也日趋激烈,LED照明渗透率的提升,同时也意谓著LED产业持续面临降价的压力,也因此驱使著新技术的提出以及产品特性的持续提升为力抗产品价格不断下杀提供另一个出口.本文首先将针对目前市场上三大主流芯片技术做一个市场应用区隔以及其优劣势分析,其中包含了正装,垂直结构,与倒装结构LEDs,正装LED因其工艺简易以及低生产成本的优势,一直以来主导著LED应用市
One of the main obstacles to the application of InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs) as a general lighting source is so-called efficiency droop, gradual efficiency reduction at high current injectio
半导体照明具有显著的节能效应,且具有安全、环保等优点,目前己开始逐渐替代白炽灯、日光灯等传统照明灯具.然而由于制造成本较高,LED灯的渗透速度受到很大限制.跟蓝宝石和碳化硅相比,Si衬底价格便宜且大尺寸晶元制备技术成熟,采用Si衬底制备LED有望显著降低半导体照明的成本.
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法直接在(1(1)02)r面蓝宝石衬底上制备出高质量的(1120)a面氮化镓(GaN)单晶薄膜,并研究了蓝宝石衬底氮化对于a面GaN生长的影响.对制备的薄膜进行了晶体结构、表面形貌以及光学性质的研究.
半个世纪以来,半导体激光器有源区材料的研究经历了从异质结到量子阱再到量子点的变迁.由于量子点对载流子远动的三维量子限制,量子点激光器具有比传统的量子阱激光器更优良的器件性能,如更低的阈值电流密度、更高的温度稳定性和更快的调制速率等,有望在光通信领域得到广泛应用.
选择区域外延(SAG)技术是在介质图形衬底上利用MOCVD外延实现能带裁剪的方法之一,已在光电功能集成材料领域得到了广泛的应用,如用于生长电吸收调制器与分布反馈(DFB)激光器[1]/半导体光放大器(SOA)[2]集成材料、多波长DFB激光器阵列[3]和光子集成电路(PIC)芯片[4]材料等.
在MOCVD生长中,GaN表面因其晶向不同展现出不同的生长过程.本文利用Material Studio Adsorption Lo cater模块,研究了NH3、NH2、NH和 GaCH3在GaN(0001)-Ga和GaN(000(1))-N极性面上的吸附,寻找了在初始状态下各吸附物在清洁表面的最稳定吸附位,并得到了最低吸附能.