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本文提出了一种GaN HEMT器件寄生电容的提取方法——测试结构方法,该方法是在芯片上制作特殊的测试结构,测试结构和器件测试结构尺寸一致,只不过不包含有源器件而已,仅由栅极、漏极和源级的PAD组成,通过测试该结构的S参数来提取寄生电容.本文所用的测试结构为共面波导结构(CPW).
一种GaN HEMT器件寄生电容的提取方法
【摘 要】
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本文提出了一种GaN HEMT器件寄生电容的提取方法——测试结构方法,该方法是在芯片上制作特殊的测试结构,测试结构和器件测试结构尺寸一致,只不过不包含有源器件而已,仅由栅极
【机 构】
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华东师范大学,信息与科学技术学院,上海201604
【出 处】
：
2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术
【发表日期】
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2016年期
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